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中文参数如下:
功率耗散:1 W
栅极电荷 Qg:5 nC
包装形式:Reel
封装形式:TSMT3
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):60 mOhms
漏极连续电流:3 A
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
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