点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 2.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs4.1nC @ 5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 165pF @ 10V
功率 - 最大1W
安装类型表面贴装
以上是RSR025N03TL的详细信息,包括RSR025N03TL厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!