RGT30NS65DGC9

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 TO-262
数量:
 11231  
说明:
 IGBT TRENCH FIELD 650V 30A TO262
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
RGT30NS65DGC9-TO-262图片

RGT30NS65DGC9 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
安装类型:通孔
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):55 ns
测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:18ns/64ns
栅极电荷:32 nC
输入类型:标准
开关能量:-
功率 - 最大值:133 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
IGBT 类型:沟槽型场截止
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RGT30NS65DGC9的详细信息,包括RGT30NS65DGC9厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC