RGT40NS65DGC9

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 TO-262
数量:
 135  
说明:
 IGBT TRENCH FIELD 650V 40A TO262
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RGT40NS65DGC9 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
安装类型:通孔
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):58 ns
测试条件:400V,20A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:22ns/75ns
栅极电荷:40 nC
输入类型:标准
开关能量:-
功率 - 最大值:161 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,20A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
IGBT 类型:沟槽型场截止
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor

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