RGT50NS65DGTL

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: LPDS
数量：: 117
说明：: IGBT TRENCH FIELD 650V 48A LPDS

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RGT50NS65DGTL PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装型
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：58 ns
测试条件：400V，25A，10欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：27ns/88ns
栅极电荷：49 nC
输入类型：标准
开关能量：-
功率 - 最大值：194 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，25A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：75 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：48 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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