RGT8NL65DGTL

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: LPDS
数量：: 9819
说明：: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A LPDS

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RGT8NL65DGTL PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装型
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：40 ns
测试条件：400V，4A，50欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：17ns/69ns
栅极电荷：13.5 nC
输入类型：标准
开关能量：-
功率 - 最大值：65 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：12 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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