RGT50NS65DGC9

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TO-262
数量：: 9567
说明：: IGBT TRENCH FIELD 650V 48A TO262

一、本商品被浏览0次.

RGT50NS65DGC9 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
安装类型：通孔
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：58 ns
测试条件：400V，25A，10欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：27ns/88ns
栅极电荷：49 nC
输入类型：标准
开关能量：-
功率 - 最大值：194 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，25A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：75 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：48 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGT50NS65DGC9的详细信息，包括RGT50NS65DGC9厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：