RDN100N20

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: TO-220FN
数量：: 4428
说明：: MOSFET

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RDN100N20 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：38 ns
上升时间：29 ns
功率耗散：35 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：26 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220FN
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.36 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：ROHM Semiconductor

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