IPD80R1K2P7ATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO252-3
数量：: 8262
说明：: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

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IPD80R1K2P7ATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：37W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：300 pF @ 500 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 80μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 1.7A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A（Tc）
漏源电压（Vdss）：800 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：CoolMOS? P7
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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