PTFA142401ELV4R250

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-33288-2
数量:
 2799  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA142401ELV4R250 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FA142401ELV4R25XT PTFA142401ELV4R250XTMA1
系列:PTFA142401
功率耗散:625 W
安装风格:SMD/SMT
封装形式:H-33288-2
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:2 A
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:50 W
增益:16.5 dB
频率:1.45 GHz to 1.5 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

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