PTFA092213EL V4 R250

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-33288-6
数量:
 2745  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
PTFA092213EL V4 R250-H-33288-6图片

PTFA092213EL V4 R250 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:FA092213ELV4R25NT PTFA092213ELV4R250XTMA1 SP000667588
系列:PTFA092213
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.04 Ohms
最小工作温度:- 40 C
封装形式:H-33288-6
最大工作温度:+ 125 C
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:1850 mA
汲极/源极击穿电压:65 V
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

以上是PTFA092213EL V4 R250的详细信息,包括PTFA092213EL V4 R250厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC