PTFA080551E V4 R250

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-36265-2
数量：: 5382
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 55 W 869-960 MHZ

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中文参数如下：

零件号别名：FA080551EV4R25XT PTFA080551EV4R250XTMA1 SP000393364
工厂包装数量：250
系列：PTFA080551
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.15 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：219 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
包装形式：Reel
封装形式：H-36265-2
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：600 mA
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：55 W
增益：18.5 dB
频率：869 MHz to 960 MHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

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