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PHM12NQ20T,518

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 8-HVSON（5x6）
数量：
 4806  
说明：
 MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1
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PHM12NQ20T,518-8-HVSON（5x6）图片

PHM12NQ20T,518 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 12A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)200V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14.4A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1230pF @ 25V
功率 - 最大62.5W
安装类型表面贴装

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