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PHM21NQ15T,518

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 8-HVSON（5x6）
数量：
 4833  
说明：
 MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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PHM21NQ15T,518-8-HVSON（5x6）图片

PHM21NQ15T,518 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：50 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：12 ns
功率耗散：62.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：38 ns
包装形式：Reel - 13 in
封装形式：HVSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.055 Ohms
漏极连续电流：22.2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：NXP

以上是PHM21NQ15T,518的详细信息，包括PHM21NQ15T,518厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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