PHM30NQ10T,518

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: 8-HVSON（5x6）
数量：: 4851
说明：: MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1

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PHM30NQ10T,518 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 18A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)100V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs53.7nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C37.6A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3600pF @ 25V
功率 - 最大62.5W
安装类型表面贴装

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