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PHB222NQ04LT,118

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 D2PAK
数量：
 4149  
说明：
 MOSFET TRENCHMOS (TM) FET
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PHB222NQ04LT,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：257 ns
工厂包装数量：800
功率耗散：300000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel - 13 in
封装形式：D2PAK-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.8 mOhms
漏极连续电流：49 A
闸/源击穿电压：+/- 13 V
汲极/源极击穿电压：65 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：NXP

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