首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > PHB29N08T,118

PHB29N08T,118

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: D2PAK
数量：: 4203
说明：: MOSFET TAPE13 MOSFET

一、本商品被浏览0次.

PHB29N08T,118 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：/T3 PHB29N08T
典型关闭延迟时间：15 ns
工厂包装数量：800
上升时间：70 ns
功率耗散：88 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：19 nC
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：96 mOhms
漏极连续电流：27 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHB29N08T,118的详细信息，包括PHB29N08T,118厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：