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PHB23NQ10LT,118

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: D2PAK
数量：: 4185
说明：: MOSFET TAPE13 PWR-MOS

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PHB23NQ10LT,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：58 ns
工厂包装数量：800
上升时间：120 ns
功率耗散：98 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：57 ns
包装形式：Reel - 13 in
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.072 Ohms
漏极连续电流：23 A
闸/源击穿电压：+/- 15 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：NXP

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