首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > PHB21N06LT,118

PHB21N06LT,118

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 D2PAK
数量：
 4140  
说明：
 MOSFET TAPE13 PWR-MOS
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
PHB21N06LT,118-D2PAK图片

PHB21N06LT,118 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：/T3 PHB21N06LT
典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：800
上升时间：88 ns
功率耗散：56 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：25 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-404
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.07 Ohms
漏极连续电流：19 A
闸/源击穿电压：+/- 15 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHB21N06LT,118的详细信息，包括PHB21N06LT,118厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • TPH4R50ANH1,LQ
  • 2SK3564(STA4,Q,M)
  • SIR616DP-T1-GE3
  • IPD35N12S3L24ATMA1
  • RQ3L090GNTB
  • BSZ067N06LS3GATMA1
  • BSC066N06NSATMA1
  • IPP80N06S208AKSA2
  • STU9N60M2
  • TSM150P03PQ33 RGG

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC