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中文参数如下:
工厂包装数量:50
产品类型:RF MOSFET Power
功率耗散:79 W
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 65 C
包装形式:Tube
封装形式:PowerSO-10RF (Straight Lead)
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:7 A
汲极/源极击穿电压:40 V
输出功率:25 W
增益:14.5 dB at 500 MHz
频率:1 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:否
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:STMicroelectronics
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