首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 射频半导体 > 晶体管射频 > 射频MOSFET电源晶体管 > PD55025STR

PD55025STR

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 PowerSO-10RF (Straight Lead)
数量：
 2106  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 7.0 Amp
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
PD55025STR-PowerSO-10RF (Straight Lead)图片

PD55025STR PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：600
产品类型：RF MOSFET Power
功率耗散：79 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Reel
封装形式：PowerSO-10RF (Straight Lead)
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：7 A
汲极/源极击穿电压：40 V
输出功率：25 W
增益：14.5 dB at 500 MHz
频率：1 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：否
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：STMicroelectronics

以上是PD55025STR的详细信息，包括PD55025STR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管   射频双极小信号晶体管   射频JFET晶体管   射频双极电源晶体管   射频MOSFET小信号晶体管  

最新产品：

  • 9-1423162-4
  • CPC2330NTR
  • MBRF1590CT C0G
  • SN74HCS244QWRKSRQ1
  • AMPDEGH-A06T3
  • ML620Q156-609TBZWARL
  • PSMN1R4-30YLDX
  • W25Q256JWEIM TR
  • 72V02L25J
  • BZT52C11-E3-18

    • 相近型号推荐

    • PD55035图片

      PD55035

      射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 7.0 Amp

    • PD55035-E图片

      PD55035-E

      射频MOSFET电源晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

    • PD55035S图片

      PD55035S

      射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 7 Amp

    • PD55035S-E图片

      PD55035S-E

      射频MOSFET电源晶体管 POWER RF Transistor

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC