NTZD3155CT1G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 SOT-563
数量:
 72655  
说明:
 MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
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NTZD3155CT1G PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:16 ns at N Channel, 35 ns at P Channel
工厂包装数量:4000
上升时间:4 ns at N Channel, 12 ns at P Channel
功率耗散:0.25 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:4 ns at N Channel, 12 ns at P Channel
包装形式:Reel
封装形式:SOT-563
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):400 mOhms, 500 mOhms
漏极连续电流:0.54 A, - 0.43 A
闸/源击穿电压:+/- 6 V
汲极/源极击穿电压:20 V, - 20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTZD3155CT1G的详细信息,包括NTZD3155CT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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