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NTZD3156CT1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-563
数量：: 1125
说明：: MOSFET 20/6V Comp w/100K G-S Resistors

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NTZD3156CT1G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：21 ns, 29 ns
工厂包装数量：4000
上升时间：5.3 ns, 6.5 ns
功率耗散：280 mW
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：1.46 S, 1.18 S
下降时间：10 ns, 19.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-563-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.36 Ohms, 0.72 Ohms
漏极连续电流：540 mA, - 430 mA
闸/源击穿电压：+/- 6 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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