NTZD3156CT2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-563
数量：: 1134
说明：: MOSFET COMP SOT563 20V

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NTZD3156CT2G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：21 ns at N Channel, 29 ns at P Channel
工厂包装数量：4000
上升时间：5.3 ns at N Channel, 6.5 ns at P Channel
功率耗散：280 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：5.3 ns at N Channel, 6.5 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：SOT-563-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：550 mOhms at 4.5 V at N Channel, 900 mOhms at 4.5 V at P Channel
漏极连续电流：0.54 A
闸/源击穿电压：+/- 6 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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