首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > NTMD5836NLR2G

NTMD5836NLR2G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 8-SOIC
数量：
 7434  
说明：
 MOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
NTMD5836NLR2G-8-SOIC图片

NTMD5836NLR2G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

上升时间：22 ns
功率耗散：1.5 W
栅极电荷 Qg：36 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：10.5 S / 6 S
下降时间：8.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 85 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.5 mOhms
漏极连续电流：9 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMD5836NLR2G的详细信息，包括NTMD5836NLR2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB100N04S303ATMA1
  • SQJ138ELP-T1_GE3
  • SI7157DP-T1-GE3
  • NVMFS5C456NT1G
  • SPW15N60CFDFKSA1
  • RJK0853DPB-00#J5
  • NP45N06PUK-E1-AY
  • SIR184LDP-T1-RE3
  • RD3L150SNFRATL
  • NVTFS5C454NLWFTAG

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC