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NTMD5836NLR2G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 8-SOIC
数量：
 7434  
说明：
 MOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM
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NTMD5836NLR2G-8-SOIC图片

NTMD5836NLR2G PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：22 ns
功率耗散：1.5 W
栅极电荷 Qg：36 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：10.5 S / 6 S
下降时间：8.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 85 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.5 mOhms
漏极连续电流：9 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMD5836NLR2G的详细信息，包括NTMD5836NLR2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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