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NTMD6601NR2G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 8-SOIC
数量：
 1314  
说明：
 MOSFET NFET S08D 80V 1.4A 245mOHM
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NTMD6601NR2G-8-SOIC图片

NTMD6601NR2G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：5 nC
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.19 Ohms
漏极连续电流：1.4 A
闸/源击穿电压：15 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMD6601NR2G的详细信息，包括NTMD6601NR2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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