NTMD6601NR2G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 8-SOIC
数量:
 1314  
说明:
 MOSFET NFET S08D 80V 1.4A 245mOHM
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NTMD6601NR2G PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:1 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:5 nC
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 125 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.19 Ohms
漏极连续电流:1.4 A
闸/源击穿电压:15 V
汲极/源极击穿电压:80 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTMD6601NR2G的详细信息,包括NTMD6601NR2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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