NTMD6P02R2SG

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 6723
说明：: MOSFET PFET20V 6A .033R TR

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：85 ns, 50 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：20 ns, 65 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：50 ns, 80 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.033 Ohms
漏极连续电流：7.8 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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