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NTD6415AN-1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 I-PAK
数量：
 3060  
说明：
 MOSFET NFET IPAK 100V 22A 55MOHM
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NTD6415AN-1G-I-PAK图片

NTD6415AN-1G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：30 ns
上升时间：37 ns
功率耗散：83 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：29 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：13 S
下降时间：37 ns
包装形式：Rail
封装形式：IPAK-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：55 mOhms
漏极连续电流：23 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD6415AN-1G的详细信息，包括NTD6415AN-1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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