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NTD6416ANLT4G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：
 3096  
说明：
 MOSFET NFET DPAK 100V 17A 106MO
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NTD6416ANLT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
上升时间：16 ns
功率耗散：71 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：25 nC
下降时间：40 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：74 mOhms
漏极连续电流：19 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD6416ANLT4G的详细信息，包括NTD6416ANLT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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