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NTD6416AN-1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 I-PAK
数量：
 3078  
说明：
 MOSFET NFET IPAK 100V 15A 86MOHM
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NTD6416AN-1G-I-PAK图片

NTD6416AN-1G PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：22 ns
功率耗散：71 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：20 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：12 S
下降时间：20 ns
包装形式：Rail
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：73 mOhms
漏极连续电流：17 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD6416AN-1G的详细信息，包括NTD6416AN-1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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