NTD5802NT4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 15320
说明：: MOSFET 101A, 40V, 4.2mOhms N-Channel

一、本商品被浏览0次.

NTD5802NT4G-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

NTD5802NT4G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：39 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：52 ns
功率耗散：93.75 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：16.8 S
下降时间：8.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.5 Ohms
漏极连续电流：101 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：过渡期间
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD5802NT4G的详细信息，包括NTD5802NT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：