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NTB5605PT4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: D2PAK
数量：: 5463
说明：: MOSFET -60V -18.5A P-Channel

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NTB5605PT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：29 ns
工厂包装数量：800
上升时间：122 ns
功率耗散：88 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降时间：75 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.12 Ohms
漏极连续电流：- 18.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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