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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:120 ns
上升时间:170 ns
功率耗散:188 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:120 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :40 S
下降时间:190 ns
包装形式:Rail
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):11 mOhms
漏极连续电流:76 A
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor
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