NTB5605T4G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 5472  
说明:
 MOSFET PFET 60V 18.5A TR D2PAK
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NTB5605T4G PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:29 ns
工厂包装数量:800
上升时间:122 ns
功率耗散:88 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:75 ns
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.14 Ohms
漏极连续电流:18.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTB5605T4G的详细信息,包括NTB5605T4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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