点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:4000
功率耗散:1.25 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:SOT-223
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.053 Ohms
漏极连续电流:14 A
闸/源击穿电压:+/- 14 V
汲极/源极击穿电压:42 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NIF5003NT3G的详细信息,包括NIF5003NT3G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!