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NILMS4501NR2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 4-DFN
数量：: 1386
说明：: MOSFET MI 9.5A 24V CURR MIR

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NILMS4501NR2G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：17 ns, 22.5 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：15 ns
功率耗散：2.7 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：23 S
下降时间：6 ns, 6.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：PLLP4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.012 Ohms
漏极连续电流：9.5 A
闸/源击穿电压：+/- 10 V
汲极/源极击穿电压：24 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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