点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:780 ns, 906 ns, 1540 ns
工厂包装数量:4000
上升时间:1418 ns, 1165 ns, 290 ns
功率耗散:1.69 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :3.8 S
下降时间:1418 ns, 1165 ns, 290 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-223
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.107 Ohms
漏极连续电流:2.6 A
闸/源击穿电压:+/- 15 V
汲极/源极击穿电压:52 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NIF9N05CLT3的详细信息,包括NIF9N05CLT3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!