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NIF62514T1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-261-4，TO-261AA
数量：: 1287
说明：: MOSFET 42V 6A N-Channel

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NIF62514T1G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：32 us
工厂包装数量：1000
上升时间：11 us
功率耗散：8.93 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：27 us
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.09 Ohms
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NIF62514T1G的详细信息，包括NIF62514T1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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