NID6002NT4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 1062
说明：: MOSFET NFET 60V HD+

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NID6002NT4G-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

NID6002NT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：840 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：250 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：660 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.21 Ohms
漏极连续电流：6.5 A
闸/源击穿电压：+/- 14 V
汲极/源极击穿电压：70 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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