NID6002NT4G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 1062  
说明:
 MOSFET NFET 60V HD+
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NID6002NT4G-TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63图片

NID6002NT4G PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:840 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:250 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:660 ns
包装形式:Reel
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.21 Ohms
漏极连续电流:6.5 A
闸/源击穿电压:+/- 14 V
汲极/源极击穿电压:70 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NID6002NT4G的详细信息,包括NID6002NT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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