点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:2.5 us
工厂包装数量:2500
上升时间:500 ns
功率耗散:1.74 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :24 S
下降时间:1800 ns
包装形式:Reel
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.09 Ohms
漏极连续电流:9 A
闸/源击穿电压:+/- 15 V
汲极/源极击穿电压:52 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NID9N05CLT4的详细信息,包括NID9N05CLT4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!