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NID9N05CLT4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 1116
说明：: MOSFET 52V 9A N-Channel

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NID9N05CLT4G-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

NID9N05CLT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：2.5 us
工厂包装数量：2500
上升时间：500 ns
功率耗散：1.74 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：24 S
下降时间：1800 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.09 Ohms
漏极连续电流：9 A
闸/源击穿电压：+/- 15 V
汲极/源极击穿电压：52 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NID9N05CLT4G的详细信息，包括NID9N05CLT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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