NID9N05ACLT4G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 27  
说明:
 MOSFET
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NID9N05ACLT4G PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:1.74 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):90 mOhms
漏极连续电流:9 A
汲极/源极击穿电压:59 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NID9N05ACLT4G的详细信息,包括NID9N05ACLT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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