NE651R479A-EVPW19

厂家：: CEL
封装：: 79A
数量：: 846
说明：: 射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz

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NE651R479A-EVPW19 PDF参数资料

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中文参数如下：

P1dB：27 dBm
封装形式：79A
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：2.5 W
最大工作温度：+ 125 C
漏极连续电流：1 A
闸/源击穿电压：- 4 V
漏源电压 VDS：8 V
增益：12 dB
频率：1.9 GHz
技术类型：HEMT
RoHS：否
产品种类：射频GaAs晶体管
制造商：CEL

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