NE651R479A-EVPW26

厂家：: CEL
封装：: 79A
数量：: 3897
说明：: 射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz

一、本商品被浏览0次.

NE651R479A-EVPW26 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

P1dB：27 dBm
封装形式：79A
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：2.5 W
最大工作温度：+ 125 C
漏极连续电流：1 A
闸/源击穿电压：- 4 V
漏源电压 VDS：8 V
增益：12 dB
频率：1.9 GHz
技术类型：HEMT
RoHS：否
产品种类：射频GaAs晶体管
制造商：CEL

以上是NE651R479A-EVPW26的详细信息，包括NE651R479A-EVPW26厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频MOSFET电源晶体管射频硅锗晶体管射频双极小信号晶体管射频JFET晶体管射频双极电源晶体管