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NE6510179A

厂家：
  NEC/CEL
封装：
 79A
数量：
 3879  
说明：
 射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
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NE6510179A PDF参数资料

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中文参数如下：

P1dB：35 dBm
封装形式：79A
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：15 W
最大工作温度：+ 150 C
漏极连续电流：2.8 A
闸/源击穿电压：- 4 V
漏源电压 VDS：8 V
增益：10 dB
频率：1.9 GHz
技术类型：HEMT
RoHS：否
制造商：NEC

以上是NE6510179A的详细信息，包括NE6510179A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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