NE650103M

厂家：: NEC/CEL
封装：: 3M
数量：: 5049
说明：: 射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A

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NE650103M PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：10
P1dB：40 dBm
封装形式：3M
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：33 W
最大工作温度：+ 175 C
漏极连续电流：7 A
闸/源击穿电压：- 18 V
漏源电压 VDS：15 V
增益：11 dB
频率：2.3 GHz
技术类型：MESFET
RoHS：否
制造商：NEC

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