NE325S01-T1B

厂家：: NEC/CEL
封装：: SO-1
数量：: 3267
说明：: 射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

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NE325S01-T1B PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：4000
包装形式：Reel
封装形式：SO-1
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作温度：+ 125 C
漏极连续电流：90 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
漏源电压 VDS：4 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：60 mS
噪声系数：0.45 dB
增益：12.5 dB
频率：12 GHz
技术类型：HEMT
RoHS：是
产品种类：射频GaAs晶体管
制造商：NEC

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