NE334S01-T1

厂家：: NEC/CEL
封装：: SO-1
数量：: 4545
说明：: 射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET

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NE334S01-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
包装形式：Reel
封装形式：SO-1
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：300 mW
最大工作温度：+ 125 C
漏极连续电流：150 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
漏源电压 VDS：4 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：85 mS
噪声系数：0.25 dB
增益：16 dB
频率：4 GHz
技术类型：HEMT
RoHS：是
产品种类：射频GaAs晶体管
制造商：NEC

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