NDS8961_F011

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 2295
说明：: MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode

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NDS8961_F011 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：14 ns
上升时间：15 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1 Ohms
漏极连续电流：3.1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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