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NDS9407_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 2340  
说明：
 MOSFET Single P-Ch MOSFET Power Trench
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NDS9407_Q-SOIC-8 Narrow图片

NDS9407_Q PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：10 ns
上升时间：11 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：78 m Ohms
漏极连续电流：- 3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDS9407_Q的详细信息，包括NDS9407_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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